Fechar

1. Identificação
Tipo de ReferênciaArtigo em Revista Científica (Journal Article)
Código do Detentorisadg {BR SPINPE} ibi 8JMKD3MGPCW/3DT298S
Sitemtc-m16c.sid.inpe.br (namespace prefix: upn:32NSFRP)
Identificador6qtX3pFwXQZsFDuKxG/xUsqm
Repositóriosid.inpe.br/marciana/2003/04.29.10.57   (acesso restrito)
Última Atualização2015:09.16.17.55.08 (UTC) administrator
Repositório de Metadadossid.inpe.br/marciana/2003/04.29.10.57.32
Última Atualização dos Metadados2021:07.28.21.26.34 (UTC) administrator
Chave SecundáriaINPE-13169-PRE/8427
ISSN0038-1098
Chave de CitaçãoCruz-OreaDeVaPiAlMi:1996:UsPhTe
TítuloOn the use of the photoacoustic technique for the measurement of the thermomechanical properties of semiconductor two-layer systems
Ano1996
MêsDec.
Data de Acesso08 nov. 2026
Tipo SecundárioPRE PI
Número de Arquivos1
Tamanho452 KiB
2. Contextualização
Autor1 Cruz-Orea, A.
2 Delgadillo, I.
3 Vargas, H.
4 Pichardo, J. L.
5 Alvarado-Gil, J. J.
6 Miranda, Luiz Carlos Moura
Identificador de Curriculo1
2
3
4
5
6 8JMKD3MGP5W/3C9JHN5
Grupo1 LAS-INPE-MCT-BR
Afiliação1 Programa Multidisciplinario de Ciencias Aplicadas y Tecnología Avanzada, Centro de Investigatión y de Estudios Avanzados del IPN, Mexico
2 Departamento de Física, Centro de Investigación y de Estudios Acanzados del IPN
3 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais
RevistaSolid State Communication
Volume100
Número12
Páginas855-859
Acervo Hospedeirosid.inpe.br/mtc-m18@80/2008/03.17.15.17 upn:32NSFRP
Histórico (UTC)2005-09-19 17:35:52 :: marciana -> administrator ::
2015-09-16 17:54:57 :: administrator -> marciana :: 1996
2015-09-16 17:55:10 :: marciana -> administrator :: 1996
2021-07-28 21:26:34 :: administrator -> marciana :: 1996
3. Conteúdo e estrutura
É a matriz ou uma cópia?é a matriz
Estágio do Conteúdoconcluido
Transferível1
Tipo do ConteúdoExternal Contribution
Palavras-ChaveSemiconductors
Heat conduction
Thermal expansion
ResumoThe photoacoustic technique is used in semiconductor two-layer systems for the determination of thermal properties and thermal expansion coefficient. The two-layer systems studied were amorphous silicon-glass and Al0.2Ga0.8As-GaAs. Our results show that the proposed method is a reliable technique for the characterization of other semiconductor two-layers systems.
ÁreaFISMAT
Arranjourlib.net > BDMCI > Fonds > Produção anterior à 2021 > LABAS > On the use...
Conteúdo da Pasta docacessar
Conteúdo da Pasta sourcenão têm arquivos
Conteúdo da Pasta agreementnão têm arquivos
4. Condições de acesso e uso
Arquivo Alvo1996_cruzorea.pdf
Grupo de Usuáriosadministrator
marciana
Grupo de Leitoresadministrator
marciana
Visibilidadeshown
Detentor da CópiaSID/SCD
Política de Arquivamentodenypublisher denyfinaldraft24
Permissão de Leituradeny from all and allow from 150.163
Permissão de Atualizaçãonão transferida
5. Fontes relacionadas
Unidades Imediatamente Superiores8JMKD3MGPCW/3ESR3H2
Lista de Itens Citandosid.inpe.br/bibdigital/2013/09.24.19.30 - 57
sid.inpe.br/mtc-m21/2012/07.13.14.54.12 - 52
sid.inpe.br/mtc-m21/2012/06.05.15.34.41 - 8
sid.inpe.br/bibdigital@80/2006/04.07.15.50.13 - 7
sid.inpe.br/mtc-m18@80/2008/03.17.15.17.24 - 1
DivulgaçãoWEBSCI; PORTALCAPES; COMPENDEX.
6. Notas
Campos Vaziosalternatejournal archivist callnumber copyright creatorhistory descriptionlevel doi e-mailaddress electronicmailaddress format isbn label language lineage mark mirrorrepository nextedition notes orcid parameterlist parentrepositories previousedition previouslowerunit progress project rightsholder schedulinginformation secondarydate secondarymark session shorttitle sponsor subject tertiarymark tertiarytype typeofwork url versiontype
7. Controle da descrição
e-Mail (login)marciana
atualizar 


Fechar